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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
90-TFBGA (8x13)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
133 MHz
Voltagem - Suministro:
2.3V ~ 3V
Tiempo de acceso:
6 ns
Envase / estuche:
90-TFBGA
Organización de la memoria:
el 16M x 32
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM - móvil
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
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-
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
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Frecuencia del reloj:
133 MHz
Voltagem - Suministro:
2.3V ~ 3V
Tiempo de acceso:
6 ns
Envase / estuche:
90-TFBGA
Organización de la memoria:
el 16M x 32
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM - móvil
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.
SDRAM - Memoria móvil IC 512Mbit paralelo 133 MHz 6 ns 90-TFBGA (8x13)

Tags:

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