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Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
20ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las condiciones de los productos de la categoría 1 se establecen en el anexo I.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Tamaño de la memoria:
512 Kbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
20 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
32K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Puerto doble, asíncrono
Número del producto de base:
Las demás partidas
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
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Tipo de montaje:
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Paquete:
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Serie:
-
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En paralelo
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Tiempo de acceso:
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Organización de la memoria:
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SRAM - Puerto doble, memoria asíncrona IC 512Kbit paralelo 20 ns 100-TQFP (14x14)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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