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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
1Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
84-TWBGA (8x12.5)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
333 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Tiempo de acceso:
450 picosegundos
Envase / estuche:
84-TFBGA
Organización de la memoria:
los 64M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM-DDR2
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
1Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
84-TWBGA (8x12.5)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
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Frecuencia del reloj:
333 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Tiempo de acceso:
450 picosegundos
Envase / estuche:
84-TFBGA
Organización de la memoria:
los 64M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM-DDR2
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Se aplican las siguientes medidas:
SDRAM - IC de memoria DDR2 1Gbit paralelo 333 MHz 450 ps 84-TWBGA (8x12.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria,

Chip de IC de memoria 64-FBGA

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