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MT5E512M64D2NZ-46 WT:B
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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
32Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
18ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
376-WFBGA (14x14)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Micron Technology Inc.
Frecuencia del reloj:
2,133 gigahertz
Voltagem - Suministro:
1.06V ~ 1.17V
Tiempo de acceso:
3,5 ns
Envase / estuche:
376-WFBGA
Organización de la memoria:
512M x 64
Temperatura de funcionamiento:
-25°C ~ 85°C (TC)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR4 móvil
Número del producto de base:
MT5E512
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
32Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
18ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
376-WFBGA (14x14)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Micron Technology Inc.
Frecuencia del reloj:
2,133 gigahertz
Voltagem - Suministro:
1.06V ~ 1.17V
Tiempo de acceso:
3,5 ns
Envase / estuche:
376-WFBGA
Organización de la memoria:
512M x 64
Temperatura de funcionamiento:
-25°C ~ 85°C (TC)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR4 móvil
Número del producto de base:
MT5E512
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
MT5E512M64D2NZ-46 WT:B
SDRAM - IC de memoria móvil LPDDR4 32Gbit paralelo a 2,133 GHz 3,5 ns 376-WFBGA (14x14)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria,

Chip de IC de memoria 64-FBGA

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