ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
8ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de la categoría M1 y M2
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Tamaño de la memoria:
8Mbit
Voltagem - Suministro:
2.4V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
8 años
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
512K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
IS61WV51216
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
8ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de la categoría M1 y M2
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Tamaño de la memoria:
8Mbit
Voltagem - Suministro:
2.4V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
8 años
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
512K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
IS61WV51216
Formato de memoria:
La SRAM
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SRAM - IC de memoria asíncrona de 8 Mbit paralelo 8 ns 48-TFBGA (6x8)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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