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ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.

Detalles del producto

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Descripción: El número de unidades de almacenamiento será el número de unidades de almacenamiento.

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Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
60-TFBGA (8x13)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
2,5 V ~ 2,7 V
Tiempo de acceso:
700 picosegundos
Envase / estuche:
60-TFBGA
Organización de la memoria:
32M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM-DDR
Número del producto de base:
Se aplican las siguientes medidas:
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
60-TFBGA (8x13)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
2,5 V ~ 2,7 V
Tiempo de acceso:
700 picosegundos
Envase / estuche:
60-TFBGA
Organización de la memoria:
32M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM-DDR
Número del producto de base:
Se aplican las siguientes medidas:
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
SDRAM - Memoria DDR IC 512Mbit paralelo 200 MHz 700 ps 60-TFBGA (8x13)
ps6ahq937s9zjstx