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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
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Detalles del producto

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Descripción: IC DRAM 512 MBIT PAR 54TSOP II

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
54-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
143 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
5,4 ns
Envase / estuche:
54-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
32M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM
Número del producto de base:
Las condiciones de producción de la sustancia
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
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-
Paquete de dispositivos del proveedor:
54-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
143 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
5,4 ns
Envase / estuche:
54-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
32M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM
Número del producto de base:
Las condiciones de producción de la sustancia
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
Memoria SDRAM IC 512Mbit paralelo 143 MHz 5,4 ns 54-TSOP II

Tags:

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