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Descripción de producto
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Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
72Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
100-TQFP (14x20)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
167 megaciclos
Voltagem - Suministro:
2.375V ~ 2.625V
Tiempo de acceso:
3,4 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
2M x 36
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1480
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
72Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
100-TQFP (14x20)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
167 megaciclos
Voltagem - Suministro:
2.375V ~ 2.625V
Tiempo de acceso:
3,4 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
2M x 36
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1480
Formato de memoria:
La SRAM
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:
SRAM - IC de memoria SDR síncrona de 72 Mbit paralelo a 167 MHz 3.4 ns 100-TQFP (14x20)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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