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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

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Descripción: Las instrucciones de acceso a los datos de las instalaciones de control de velocidad deberán ser las

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Descripción de producto

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Categoría:	Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria	Estado del producto:	Actividad
Tipo de montaje:	Montura de la superficie	Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Serie:	-	DigiKey es programable:	No verificado
Interfaz de memoria:	En paralelo	Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:	25ns
Paquete de dispositivos del proveedor:	54-TSOP II	Tipo de memoria:	No volátiles
El Sr.:	Tecnologías Infineon	Tamaño de la memoria:	4Mbit
Voltagem - Suministro:	2.7V ~ 3.6V	Tiempo de acceso:	25 ns
Envase / estuche:	54-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)	Organización de la memoria:	256K x 16
Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 85 °C (TA)	Tecnología:	NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:	CY14B104	Formato de memoria:	NVSRAM

Categoría:	Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:	Actividad
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Serie:	-
DigiKey es programable:	No verificado
Interfaz de memoria:	En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:	25ns
Paquete de dispositivos del proveedor:	54-TSOP II
Tipo de memoria:	No volátiles
El Sr.:	Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:	4Mbit
Voltagem - Suministro:	2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:	25 ns
Envase / estuche:	54-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:	256K x 16
Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:	NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:	CY14B104
Formato de memoria:	NVSRAM

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento

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