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CY7C1320KV18-250BZXI
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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
18Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
165-FBGA (13x15)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
250 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Envase / estuche:
165-LBGA
Organización de la memoria:
512K x 36
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los dispositivos de seguridad de los Estados mie
Número del producto de base:
CY7C1320
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
18Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
165-FBGA (13x15)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
250 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Envase / estuche:
165-LBGA
Organización de la memoria:
512K x 36
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los dispositivos de seguridad de los Estados mie
Número del producto de base:
CY7C1320
Formato de memoria:
La SRAM
CY7C1320KV18-250BZXI
SRAM - IC de memoria DDR II síncrona de 18 Mbit paralelo a 250 MHz 165-FBGA (13x15)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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