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Hogar > productos > Chip IC de memoria > CY7C1062GE30-10BGXIT y sus componentes
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CY7C1062GE30-10BGXIT y sus componentes
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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de velocidad.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
16Mbit
Voltagem - Suministro:
2.2V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
Las demás:
Organización de la memoria:
512K x 32
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
CY7C1062
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de velocidad.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
16Mbit
Voltagem - Suministro:
2.2V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
Las demás:
Organización de la memoria:
512K x 32
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
CY7C1062
Formato de memoria:
La SRAM
CY7C1062GE30-10BGXIT y sus componentes
SRAM - IC de memoria asíncrona de 16 Mbit paralelo 10 ns 119-PBGA (14x22)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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