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S29GL512P11FFI010: las condiciones de los productos de las categorías 1 y 2 son las siguientes:

Detalles del producto

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Descripción: El número de unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidad

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Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
GL-P
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
110ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
64-FBGA (11x13)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
110 ns
Envase / estuche:
64-LBGA
Organización de la memoria:
32M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FLASH - Ni siquiera
Número del producto de base:
S29GL512
Formato de memoria:
El flash.
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
GL-P
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
110ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
64-FBGA (11x13)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
110 ns
Envase / estuche:
64-LBGA
Organización de la memoria:
32M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FLASH - Ni siquiera
Número del producto de base:
S29GL512
Formato de memoria:
El flash.
S29GL512P11FFI010: las condiciones de los productos de las categorías 1 y 2 son las siguientes:
Flash - NOR IC de memoria 512Mbit paralelo 110 ns 64-FBGA (11x13)
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