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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-TSOP I
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
16Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
45 ns
Envase / estuche:
48-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho)
Organización de la memoria:
1M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:
CY14B116
Formato de memoria:
NVSRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tipo de memoria:
No volátiles
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Tamaño de la memoria:
16Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
45 ns
Envase / estuche:
48-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho)
Organización de la memoria:
1M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:
CY14B116
Formato de memoria:
NVSRAM
CY14B116N-Z45XI
NVSRAM (SRAM no volátil) IC de memoria 16Mbit paralelo 45 ns 48-TSOP I

Tags:

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