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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

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Detalles del producto

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Descripción: El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las condiciones de los productos de la categoría 1 se establecen en el anexo I.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.465V
Tiempo de acceso:
8 años
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
512K x 18
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR (ZBT)
Número del producto de base:
Se trata de una serie de medidas de control.
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
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-
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.465V
Tiempo de acceso:
8 años
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
512K x 18
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR (ZBT)
Número del producto de base:
Se trata de una serie de medidas de control.
Formato de memoria:
La SRAM
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
SRAM - Memoria IC sincrónica, SDR (ZBT) 9Mbit paralela 8 ns 100-TQFP (14x14)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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