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CY7C199C-20VXCT
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Detalles del producto

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Descripción: IC SRAM 256KBIT PARALÉL 28SOJ

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
20ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
28-SOJ
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
256 Kbit
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
20 ns
Envase / estuche:
28-BSOJ (0,300", 7,62 mm de ancho)
Organización de la memoria:
32K x 8
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
CY7C199
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
20ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
28-SOJ
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
256 Kbit
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
20 ns
Envase / estuche:
28-BSOJ (0,300", 7,62 mm de ancho)
Organización de la memoria:
32K x 8
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
CY7C199
Formato de memoria:
La SRAM
CY7C199C-20VXCT
SRAM - Memoria asíncrona IC 256Kbit Paralelo 20 ns 28-SOJ

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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