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Descripción: El sistema de almacenamiento de datos de las instalaciones de almacenamiento de datos de las instala

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El tubo
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
36-SOJ
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
36-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
512K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El tubo
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
36-SOJ
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
36-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
512K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.
Formato de memoria:
La SRAM
El número de unidades de producción será el siguiente:
SRAM - IC de memoria asíncrona 4 Mbit paralelo 10 ns 36-SOJ

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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