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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
64Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
54-TFBGA (8x8)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
143 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
5,4 ns
Envase / estuche:
54-TFBGA
Organización de la memoria:
4M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 105 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
64Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
54-TFBGA (8x8)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
143 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
5,4 ns
Envase / estuche:
54-TFBGA
Organización de la memoria:
4M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 105 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2
Memoria SDRAM IC 64Mbit paralelo 143 MHz 5.4 ns 54-TFBGA (8x8)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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