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Detalles del producto

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Descripción: CI SRAM 4MBIT PARALELO 44TSOP II

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
2.2V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
512K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
CY7C1049
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
2.2V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
512K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
CY7C1049
Formato de memoria:
La SRAM
CY7C1049GE30-10ZSXI
SRAM - IC de memoria asíncrona 4Mbit paralelo 10 ns 44-TSOP II

Tags:

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