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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria	Tamaño de la memoria:	64Mbit
Estado del producto:	Actividad	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Paquete:	Envases	Serie:	-
DigiKey es programable:	No verificado	Interfaz de memoria:	En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:	-	Paquete de dispositivos del proveedor:	Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo deberán estar equipadas con un dispositivo
Tipo de memoria:	Las sustancias	El Sr.:	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:	143 megaciclos	Voltagem - Suministro:	3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:	5,4 ns	Envase / estuche:	60-TFBGA
Organización de la memoria:	4M x 16	Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:	SDRAM	Número del producto de base:	Se aplicará a los productos de la categoría II.
Formato de memoria:	Dispositivos de almacenamiento

Categoría:	Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:	64Mbit
Estado del producto:	Actividad
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Paquete:	Envases
Serie:	-
DigiKey es programable:	No verificado
Interfaz de memoria:	En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo deberán estar equipadas con un dispositivo
Tipo de memoria:	Las sustancias
El Sr.:	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:	143 megaciclos
Voltagem - Suministro:	3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:	5,4 ns
Envase / estuche:	60-TFBGA
Organización de la memoria:	4M x 16
Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:	SDRAM
Número del producto de base:	Se aplicará a los productos de la categoría II.
Formato de memoria:	Dispositivos de almacenamiento

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Memoria SDRAM IC 64Mbit paralelo 143 MHz 5.4 ns 60-TFBGA (6.4x10.1)

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