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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
256Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
54-TFBGA (8x8)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
133 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.95V
Tiempo de acceso:
6 ns
Envase / estuche:
54-TFBGA
Organización de la memoria:
el 16M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM - móvil
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
256Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
54-TFBGA (8x8)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
133 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.95V
Tiempo de acceso:
6 ns
Envase / estuche:
54-TFBGA
Organización de la memoria:
el 16M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM - móvil
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
SDRAM - Memoria móvil IC 256Mbit paralelo 133 MHz 6 ns 54-TFBGA (8x8)

Tags:

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