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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
256-CABGA (17x17)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Tamaño de la memoria:
4.5Mbit
Voltagem - Suministro:
3,15 V ~ 3,45 V
Tiempo de acceso:
15 ns
Envase / estuche:
256-LBGA
Organización de la memoria:
128K x 36
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Puerto doble, asíncrono
Número del producto de base:
Las demás:
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
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15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tipo de memoria:
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El Sr.:
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Tamaño de la memoria:
4.5Mbit
Voltagem - Suministro:
3,15 V ~ 3,45 V
Tiempo de acceso:
15 ns
Envase / estuche:
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128K x 36
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Puerto doble, asíncrono
Número del producto de base:
Las demás:
Formato de memoria:
La SRAM
70V659S15BC
SRAM - Puerto doble, memoria asíncrona IC 4.5Mbit paralelo 15 ns 256-CABGA (17x17)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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