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Hogar > productos > Chip IC de memoria > Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo.
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Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo.
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Detalles del producto

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Descripción: El sistema de almacenamiento de datos de las instalaciones de almacenamiento de datos de las instala

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El tubo
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-SOJ
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
2.2V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
44-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
CY7C1041
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El tubo
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-SOJ
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
2.2V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
44-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
CY7C1041
Formato de memoria:
La SRAM
Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo.
SRAM - IC de memoria asíncrona de 4 Mbit paralelo 10 ns 44-SOJ

Tags:

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