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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
2,5 V ~ 2,7 V
Tiempo de acceso:
700 picosegundos
Envase / estuche:
66-TSSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
32M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM-DDR
Número del producto de base:
Se aplican las siguientes medidas:
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
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15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
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Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
2,5 V ~ 2,7 V
Tiempo de acceso:
700 picosegundos
Envase / estuche:
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Organización de la memoria:
32M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM-DDR
Número del producto de base:
Se aplican las siguientes medidas:
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Se aplican las siguientes medidas:
SDRAM - Memoria DDR IC 512Mbit paralelo 200 MHz 700 ps 66-TSOP II

Tags:

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