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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
2Gbit
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de contr
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
667 MHz
Voltagem - Suministro:
1.283V ~ 1.45V
Tiempo de acceso:
20 ns
Envase / estuche:
78-TFBGA
Organización de la memoria:
256Mx8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 95 °C (TC)
Tecnología:
La memoria SDRAM es DDR3L.
Número del producto de base:
Las condiciones de los certificados de calidad
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
2Gbit
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
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15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tipo de memoria:
Las sustancias
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Frecuencia del reloj:
667 MHz
Voltagem - Suministro:
1.283V ~ 1.45V
Tiempo de acceso:
20 ns
Envase / estuche:
78-TFBGA
Organización de la memoria:
256Mx8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 95 °C (TC)
Tecnología:
La memoria SDRAM es DDR3L.
Número del producto de base:
Las condiciones de los certificados de calidad
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Se aplicará el método siguiente:
SDRAM - IC de memoria DDR3L 2Gbit paralelo 667 MHz 20 ns 78-TWBGA (8x10.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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