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Hogar > productos > Chip IC de memoria > MT5E2G32D4NQ-046 WT:C TR
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MT5E2G32D4NQ-046 WT:C TR
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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
64Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
-
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
200-VFBGA (10x14.5)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Micron Technology Inc.
Frecuencia del reloj:
2,133 gigahertz
Voltagem - Suministro:
1.1V
Envase / estuche:
200-VFBGA
Organización de la memoria:
2G x 32
Temperatura de funcionamiento:
-30°C ~ 85°C (TC)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR4 móvil
Número del producto de base:
MT2A2A2A2A2
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
64Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
-
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
200-VFBGA (10x14.5)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Micron Technology Inc.
Frecuencia del reloj:
2,133 gigahertz
Voltagem - Suministro:
1.1V
Envase / estuche:
200-VFBGA
Organización de la memoria:
2G x 32
Temperatura de funcionamiento:
-30°C ~ 85°C (TC)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR4 móvil
Número del producto de base:
MT2A2A2A2A2
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
MT5E2G32D4NQ-046 WT:C TR
SDRAM - IC de memoria móvil LPDDR4 64Gbit 2.133 GHz 200-VFBGA (10x14.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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