Detalles del producto
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Descripción: RMLV0816BGB - 8 Mb avanzado LPSRA
Categoría: |
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria |
Estado del producto: |
Actividad |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Paquete: |
En bruto |
Serie: |
- |
Interfaz de memoria: |
En paralelo |
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: |
45ns |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje de las |
Tipo de memoria: |
Las sustancias |
El Sr.: |
Electrónica de Rochester, LLC |
Tamaño de la memoria: |
8Mbit |
Voltagem - Suministro: |
2.7V ~ 3.6V |
Envase / estuche: |
48-TFBGA |
Organización de la memoria: |
512K x 16 |
Temperatura de funcionamiento: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
Tecnología: |
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da |
Tiempo de acceso: |
45 ns |
Formato de memoria: |
La SRAM |
Categoría: |
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria |
Estado del producto: |
Actividad |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Paquete: |
En bruto |
Serie: |
- |
Interfaz de memoria: |
En paralelo |
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: |
45ns |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje de las |
Tipo de memoria: |
Las sustancias |
El Sr.: |
Electrónica de Rochester, LLC |
Tamaño de la memoria: |
8Mbit |
Voltagem - Suministro: |
2.7V ~ 3.6V |
Envase / estuche: |
48-TFBGA |
Organización de la memoria: |
512K x 16 |
Temperatura de funcionamiento: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
Tecnología: |
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da |
Tiempo de acceso: |
45 ns |
Formato de memoria: |
La SRAM |
