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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
4Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
El valor de las pérdidas
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
200-TFBGA (10x14.5)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
1,6 gigahertz
Voltagem - Suministro:
1El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de e
Envase / estuche:
200-TFBGA
Organización de la memoria:
256M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TC)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR4 móvil
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
4Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
El valor de las pérdidas
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
200-TFBGA (10x14.5)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
1,6 gigahertz
Voltagem - Suministro:
1El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de e
Envase / estuche:
200-TFBGA
Organización de la memoria:
256M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TC)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR4 móvil
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Se aplicará el procedimiento siguiente:
SDRAM - IC de memoria LPDDR4 móvil 4Gbit LVSTL 1,6 GHz 200-TFBGA (10x14.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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