Detalles del producto
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Descripción: IC DRAM 256 MBIT PAR 54TSOP II
Categoría: |
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria |
Tamaño de la memoria: |
256Mbit |
Estado del producto: |
Actividad |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Paquete: |
El tubo |
Serie: |
- |
DigiKey es programable: |
No verificado |
Interfaz de memoria: |
En paralelo |
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: |
- |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
54-TSOP II |
Tipo de memoria: |
Las sustancias |
El Sr.: |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Frecuencia del reloj: |
166 MHz |
Voltagem - Suministro: |
3 V ~ 3,6 V |
Tiempo de acceso: |
5,4 ns |
Envase / estuche: |
54-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m) |
Organización de la memoria: |
el 16M x 16 |
Temperatura de funcionamiento: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
Tecnología: |
SDRAM |
Número del producto de base: |
Se aplicará a los productos de la categoría II. |
Formato de memoria: |
Dispositivos de almacenamiento |
Categoría: |
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria |
Tamaño de la memoria: |
256Mbit |
Estado del producto: |
Actividad |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Paquete: |
El tubo |
Serie: |
- |
DigiKey es programable: |
No verificado |
Interfaz de memoria: |
En paralelo |
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: |
- |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
54-TSOP II |
Tipo de memoria: |
Las sustancias |
El Sr.: |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Frecuencia del reloj: |
166 MHz |
Voltagem - Suministro: |
3 V ~ 3,6 V |
Tiempo de acceso: |
5,4 ns |
Envase / estuche: |
54-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m) |
Organización de la memoria: |
el 16M x 16 |
Temperatura de funcionamiento: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
Tecnología: |
SDRAM |
Número del producto de base: |
Se aplicará a los productos de la categoría II. |
Formato de memoria: |
Dispositivos de almacenamiento |
