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ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Hogar > productos > Chip IC de memoria > Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el formulario de ensayo.

Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el formulario de ensayo.

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Descripción: El número de unidades de almacenamiento será el número de unidades de almacenamiento.

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Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
90-TFBGA (8x13)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
133 MHz
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
6 ns
Envase / estuche:
90-TFBGA
Organización de la memoria:
el 16M x 32
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM
Número del producto de base:
Se aplicará a los vehículos de la categoría M1
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
90-TFBGA (8x13)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
133 MHz
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
6 ns
Envase / estuche:
90-TFBGA
Organización de la memoria:
el 16M x 32
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM
Número del producto de base:
Se aplicará a los vehículos de la categoría M1
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el formulario de ensayo.
Memoria SDRAM IC 512Mbit paralelo 133 MHz 6 ns 90-TFBGA (8x13)
ps6ahq937s9zjstx