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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
64Kbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
F-RAM™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
I2C
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
1 MHz
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
550 ns
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Organización de la memoria:
8K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FRAM (RAM ferroeléctrico)
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de la calidad.
Formato de memoria:
FRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
64Kbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
F-RAM™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
I2C
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
1 MHz
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
550 ns
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Organización de la memoria:
8K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FRAM (RAM ferroeléctrico)
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de la calidad.
Formato de memoria:
FRAM
FM24C64B-GTR
² C 1 megaciclo 550 ns 8-SOIC de IC 64Kbit I de la memoria de FRAM (RAM ferroeléctrico)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria,

Chip de IC de memoria 64-FBGA

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