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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Se trata de una
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
60 ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
56-TSOP
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Voltagem - Suministro:
1.65V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
120 ns
Envase / estuche:
56-TFSOP (0,724", anchura de 18.40m m)
Organización de la memoria:
los 64M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 105 °C (TA)
Tecnología:
FLASH - Ni siquiera
Número del producto de base:
S29GL512
Formato de memoria:
El flash.
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Se trata de una
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
60 ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
56-TSOP
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Voltagem - Suministro:
1.65V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
120 ns
Envase / estuche:
56-TFSOP (0,724", anchura de 18.40m m)
Organización de la memoria:
los 64M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 105 °C (TA)
Tecnología:
FLASH - Ni siquiera
Número del producto de base:
S29GL512
Formato de memoria:
El flash.
S29GL512T12TFVV23
Flash - NOR IC de memoria 512Mbit paralelo 120 ns 56-TSOP

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria,

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