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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
256Mbit
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
60-TFBGA (8x13)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
2.3V ~ 2.7V
Tiempo de acceso:
700 picosegundos
Envase / estuche:
60-TFBGA
Organización de la memoria:
el 16M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM-DDR
Número del producto de base:
Se aplican las siguientes medidas:
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
256Mbit
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
60-TFBGA (8x13)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
2.3V ~ 2.7V
Tiempo de acceso:
700 picosegundos
Envase / estuche:
60-TFBGA
Organización de la memoria:
el 16M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM-DDR
Número del producto de base:
Se aplican las siguientes medidas:
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Se aplicará el método siguiente:
SDRAM - IC de memoria DDR 256Mbit paralelo 200 MHz 700 ps 60-TFBGA (8x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria,

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