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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
El tubo
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
100ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
24-EDIP
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Las autoridades francesas han señalado que la Comisión no ha tenido en cuenta las conclusiones del T
Tamaño de la memoria:
16 Kbit
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
100 ns
Envase / estuche:
Módulo 24-DIP (0,600", 15.24m m)
Organización de la memoria:
2K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Formato de memoria:
NVSRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
El tubo
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
100ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Las autoridades francesas han señalado que la Comisión no ha tenido en cuenta las conclusiones del T
Tamaño de la memoria:
16 Kbit
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
100 ns
Envase / estuche:
Módulo 24-DIP (0,600", 15.24m m)
Organización de la memoria:
2K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Formato de memoria:
NVSRAM
Se aplicará el método de clasificación de los productos.
Memoria IC 16Kbit 100 paralelos ns 24-EDIP de NVSRAM (SRAM permanente)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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