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Detalles del producto

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Descripción: El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos es el siguiente:

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El tubo
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
12ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-SOJ
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
12 ns
Envase / estuche:
44-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
64K x 16
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
El número de unidades de producción será el siguiente:
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El tubo
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
12ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-SOJ
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
12 ns
Envase / estuche:
44-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
64K x 16
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
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Número del producto de base:
El número de unidades de producción será el siguiente:
Formato de memoria:
La SRAM
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SRAM - IC de memoria asincrónica de 1 Mbit paralelo 12 ns 44-SOJ

Tags:

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