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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
MoBL®
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
Las demás
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-TSOP I
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
16Mbit
Voltagem - Suministro:
2.2V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
55 ns
Envase / estuche:
48-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho)
Organización de la memoria:
1M x 16, 2M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
CY62167
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
MoBL®
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
Las demás
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-TSOP I
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
16Mbit
Voltagem - Suministro:
2.2V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
55 ns
Envase / estuche:
48-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho)
Organización de la memoria:
1M x 16, 2M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
CY62167
Formato de memoria:
La SRAM
El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.
SRAM - IC de memoria asíncrona de 16 Mbit paralelo 55 ns 48-TSOP I

Tags:

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