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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
1Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
Se aplicará el método HSUL_12
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de velocidad.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Electrónica de Winbond
Frecuencia del reloj:
1.066 GHz
Voltagem - Suministro:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Tiempo de acceso:
5,5 ns
Envase / estuche:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Organización de la memoria:
los 64M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TC)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR3 móvil
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
1Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
Se aplicará el método HSUL_12
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de velocidad.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Electrónica de Winbond
Frecuencia del reloj:
1.066 GHz
Voltagem - Suministro:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Tiempo de acceso:
5,5 ns
Envase / estuche:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Organización de la memoria:
los 64M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TC)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR3 móvil
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
W63AH6NBVADI
SDRAM - IC de memoria LPDDR3 móvil 1Gbit HSUL_12 1,066 GHz 5,5 ns 178-VFBGA (11x11.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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