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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
1Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
78-FBGA (8x10.5)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Etron Technology, Inc.
Frecuencia del reloj:
933 megaciclos
Voltagem - Suministro:
1.425V ~ 1.575V
Tiempo de acceso:
20 ns
Envase / estuche:
78-VFBGA
Organización de la memoria:
el 128M x 8
Temperatura de funcionamiento:
0°C ~ 95°C (TC)
Tecnología:
SDRAM - DDR3
Número del producto de base:
Se trata de la EM6GC08
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
1Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
78-FBGA (8x10.5)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Etron Technology, Inc.
Frecuencia del reloj:
933 megaciclos
Voltagem - Suministro:
1.425V ~ 1.575V
Tiempo de acceso:
20 ns
Envase / estuche:
78-VFBGA
Organización de la memoria:
el 128M x 8
Temperatura de funcionamiento:
0°C ~ 95°C (TC)
Tecnología:
SDRAM - DDR3
Número del producto de base:
Se trata de la EM6GC08
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
EM6GC08EWUG-10H
SDRAM - IC de memoria DDR3 1Gbit paralelo a 933 MHz 20 ns 78-FBGA (8x10.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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