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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de la categoría M1 y M2
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
64K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de la categoría M1 y M2
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
64K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
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Número del producto de base:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Formato de memoria:
La SRAM
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:
SRAM - IC de memoria asíncrona de 1Mbit paralelo a 10 ns 48-FBGA (6x8)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria,

Chip de IC de memoria 64-FBGA

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