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Descripción: El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
70ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
32-TSOP I
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
70 ns
Envase / estuche:
32-TFSOP (0,465", ancho de 11,80 mm)
Organización de la memoria:
512K x 8
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
La SRAM
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
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No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
70ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tipo de memoria:
Las sustancias
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Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
70 ns
Envase / estuche:
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Organización de la memoria:
512K x 8
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
La SRAM
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Formato de memoria:
La SRAM
El número de unidad de ensayo será el número de unidad de ensayo.
IC de memoria SRAM 4Mbit paralelo 70 ns 32-TSOP I

Tags:

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