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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de lo

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Resaltar:

Categoría:	Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria	Estado del producto:	Actividad
Tipo de montaje:	Montura de la superficie	Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:	-	DigiKey es programable:	No verificado
Interfaz de memoria:	En paralelo	Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:	Las demás
Paquete de dispositivos del proveedor:	32-TSOP I	Tipo de memoria:	Las sustancias
El Sr.:	Renesas Electronics América Inc.	Tamaño de la memoria:	1Mbit
Voltagem - Suministro:	2.7V ~ 3.6V	Tiempo de acceso:	55 ns
Envase / estuche:	32-TFSOP (0,465", ancho de 11,80 mm)	Organización de la memoria:	128K x 8
Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 85 °C (TA)	Tecnología:	La SRAM
Número del producto de base:	Se aplicará el procedimiento siguiente:	Formato de memoria:	La SRAM

Categoría:	Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:	Actividad
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:	-
DigiKey es programable:	No verificado
Interfaz de memoria:	En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:	Las demás
Paquete de dispositivos del proveedor:	32-TSOP I
Tipo de memoria:	Las sustancias
El Sr.:	Renesas Electronics América Inc.
Tamaño de la memoria:	1Mbit
Voltagem - Suministro:	2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:	55 ns
Envase / estuche:	32-TFSOP (0,465", ancho de 11,80 mm)
Organización de la memoria:	128K x 8
Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:	La SRAM
Número del producto de base:	Se aplicará el procedimiento siguiente:
Formato de memoria:	La SRAM

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IC de memoria SRAM 1Mbit paralelo 55 ns 32-TSOP I

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circuitos integrados ics

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PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria,

Chip de IC de memoria 64-FBGA

MTFC8GACAENS-K1 AIT Nor Flash Ic 64Gb Tecnología de micrones MMC

MT45W4MW16BFB-856 WT Chip IC de memoria 54-VFBGA montado en la superficie

RC28F256P30T85A Ics Memoria 256Mb 16M x 16 FLASH - NO montado en la superficie

MT28F800B3SG-9 B Interfaz de memoria paralela con chip de memoria IC de 90 ns

M58LT256JSB8ZA6E IC Chip de memoria 85ns 256 Mb Monte de superficie

M29W640GH70NA6E Chip de IC de memoria 64Mb 2.7 V ~ 3.6 V 64Mb

JS28F160C3TD70A Memoria flash IC Chip Tecnología de micrones 70ns

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1 Chip IC de memoria 128Gb 16G x 8 Memoria

JS48F4400P0TB00A Memoria Ics 85ns Tiempo de acceso 512Mb Tamaño de la memoria

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria con frecuencia de reloj de 200 MHz

Los circuitos integrados de memoria AT45DB321D-MU-SL954 Flash Ic Eeprom 32 Mb 8-VDFN

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