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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
256 Kbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
F-RAM™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
I2C
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
3.4 MHz
Voltagem - Suministro:
2 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
130 ns
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Organización de la memoria:
32K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FRAM (RAM ferroeléctrico)
Número del producto de base:
CY15B256
Formato de memoria:
FRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
256 Kbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
F-RAM™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
I2C
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
3.4 MHz
Voltagem - Suministro:
2 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
130 ns
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Organización de la memoria:
32K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FRAM (RAM ferroeléctrico)
Número del producto de base:
CY15B256
Formato de memoria:
FRAM
CY15B256J-SXAT
FRAM (RAM ferroeléctrica) IC de memoria 256Kbit I2C 3.4 MHz 130 ns 8-SOIC

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria,

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