Detalles del producto
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Descripción: El IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II se utilizará para la obtención de las instrucciones siguientes:
Categoría: |
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria |
Estado del producto: |
Actividad |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Paquete: |
Envases |
Serie: |
- |
DigiKey es programable: |
No verificado |
Interfaz de memoria: |
En paralelo |
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: |
45ns |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
44-TSOP II |
Tipo de memoria: |
No volátiles |
El Sr.: |
Tecnologías Infineon |
Tamaño de la memoria: |
1Mbit |
Voltagem - Suministro: |
2.7V ~ 3.6V |
Tiempo de acceso: |
45 ns |
Envase / estuche: |
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m) |
Organización de la memoria: |
128K x 8 |
Temperatura de funcionamiento: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
Tecnología: |
NVSRAM (SRAM permanente) |
Número del producto de base: |
CY14B101 |
Formato de memoria: |
NVSRAM |
Categoría: |
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria |
Estado del producto: |
Actividad |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Paquete: |
Envases |
Serie: |
- |
DigiKey es programable: |
No verificado |
Interfaz de memoria: |
En paralelo |
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: |
45ns |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
44-TSOP II |
Tipo de memoria: |
No volátiles |
El Sr.: |
Tecnologías Infineon |
Tamaño de la memoria: |
1Mbit |
Voltagem - Suministro: |
2.7V ~ 3.6V |
Tiempo de acceso: |
45 ns |
Envase / estuche: |
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m) |
Organización de la memoria: |
128K x 8 |
Temperatura de funcionamiento: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
Tecnología: |
NVSRAM (SRAM permanente) |
Número del producto de base: |
CY14B101 |
Formato de memoria: |
NVSRAM |
