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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
Automotriz, AEC-Q100
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
25ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
63-VFBGA (9x11)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Micron Technology Inc.
Tamaño de la memoria:
1Gbit
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.95V
Tiempo de acceso:
25 ns
Envase / estuche:
63-VFBGA
Organización de la memoria:
el 128M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 105 °C (TA)
Tecnología:
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de
Número del producto de base:
MT2F1G08
Formato de memoria:
El flash.
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
Automotriz, AEC-Q100
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
25ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
63-VFBGA (9x11)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Micron Technology Inc.
Tamaño de la memoria:
1Gbit
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.95V
Tiempo de acceso:
25 ns
Envase / estuche:
63-VFBGA
Organización de la memoria:
el 128M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 105 °C (TA)
Tecnología:
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de
Número del producto de base:
MT2F1G08
Formato de memoria:
El flash.
MT29F1G08ABBFAH4-AAT: F
FLASH - NAND (SLC) IC de memoria 1Gbit paralelo 25 ns 63-VFBGA (9x11)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria,

Chip de IC de memoria 64-FBGA

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