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CY7C197N-25PXC.
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Detalles del producto

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Descripción: IC SRAM 256KBIT PARALÉL 24DIP

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
El tubo
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
25ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
24-PDIP
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
256 Kbit
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
25 ns
Envase / estuche:
24 DIP (0,300", 7,62 mm)
Organización de la memoria:
256K x 1
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
CY7C197
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
El tubo
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
25ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
24-PDIP
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
256 Kbit
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
25 ns
Envase / estuche:
24 DIP (0,300", 7,62 mm)
Organización de la memoria:
256K x 1
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
CY7C197
Formato de memoria:
La SRAM
CY7C197N-25PXC.
SRAM - IC de memoria asíncrona de 256 Kbit paralelo 25 ns 24-PDIP

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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