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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de velocidad.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
117 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3,15 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
7,5 ns
Envase / estuche:
Las demás:
Organización de la memoria:
128K x 32
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1338
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de velocidad.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
117 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3,15 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
7,5 ns
Envase / estuche:
Las demás:
Organización de la memoria:
128K x 32
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1338
Formato de memoria:
La SRAM
El número de unidades de producción es el siguiente:
SRAM - IC de memoria SDR síncrona 4Mbit paralelo a 117 MHz 7.5 ns 119-PBGA (14x22)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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