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ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Se aplicará el procedimiento siguiente:

Detalles del producto

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Descripción: El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace

Consiga el mejor precio
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las condiciones de las condiciones de producción y de las condiciones de producción son las siguient
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.465V
Tiempo de acceso:
3.1 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
512K x 18
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las condiciones de las condiciones de producción y de las condiciones de producción son las siguient
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.465V
Tiempo de acceso:
3.1 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
512K x 18
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Formato de memoria:
La SRAM
Se aplicará el procedimiento siguiente:
SRAM - IC de memoria SDR síncrona 9Mbit paralelo a 200 MHz 3.1 ns 100-LQFP (14x20)
ps6ahq937s9zjstx