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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
12ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
90-TFBGA (8x13)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
166 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.95V
Tiempo de acceso:
5,5 ns
Envase / estuche:
90-TFBGA
Organización de la memoria:
el 16M x 32
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR móvil
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
12ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
90-TFBGA (8x13)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
166 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.95V
Tiempo de acceso:
5,5 ns
Envase / estuche:
90-TFBGA
Organización de la memoria:
el 16M x 32
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR móvil
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Se aplicará el método de clasificación de los productos.
SDRAM - Memoria móvil LPDDR IC 512Mbit paralelo 166 MHz 5.5 ns 90-TFBGA (8x13)

Tags:

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