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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
18Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El bolso
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
165-FBGA (13x15)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
167 megaciclos
Voltagem - Suministro:
2.4V ~ 2.6V
Envase / estuche:
165-LBGA
Organización de la memoria:
1M x 18
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
El valor de las unidades de recolección de datos de la unidad de recolección de datos de la unidad d
Número del producto de base:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
18Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El bolso
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
165-FBGA (13x15)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
167 megaciclos
Voltagem - Suministro:
2.4V ~ 2.6V
Envase / estuche:
165-LBGA
Organización de la memoria:
1M x 18
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
El valor de las unidades de recolección de datos de la unidad de recolección de datos de la unidad d
Número del producto de base:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Formato de memoria:
La SRAM
En el caso de los vehículos de la categoría N1 y N2, el valor de los valores es el valor de los valores.
SRAM - IC de memoria QDR síncrona de 18 Mbit paralelo a 167 MHz 165-FBGA (13x15)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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