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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
576Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo y de los equipos de ensayo de los equipos
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Micron Technology Inc.
Frecuencia del reloj:
533 megaciclos
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Tiempo de acceso:
15 ns
Envase / estuche:
144-TFBGA
Organización de la memoria:
16M x 36
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Dispositivos de almacenamiento
Número del producto de base:
MT4104
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
576Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
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-
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
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Frecuencia del reloj:
533 megaciclos
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Tiempo de acceso:
15 ns
Envase / estuche:
144-TFBGA
Organización de la memoria:
16M x 36
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Dispositivos de almacenamiento
Número del producto de base:
MT4104
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4
Memoria DRAM IC 576Mbit paralelo 533 MHz 15 ns 144-FBGA (18.5x11)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria,

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