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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria	Estado del producto:	No está disponible
Tipo de montaje:	Montura de la superficie	Paquete:	Envases
Serie:	-	DigiKey es programable:	No verificado
Interfaz de memoria:	En paralelo	Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:	90ns
Paquete de dispositivos del proveedor:	100-VFBGA (6x6)	Tipo de memoria:	Las sustancias
El Sr.:	Cypress Semiconductor Corp	Tamaño de la memoria:	128 Kbit
Voltagem - Suministro:	1.8V ~ 3.3V	Tiempo de acceso:	90 ns
Envase / estuche:	100-VFBGA	Organización de la memoria:	8K x 16
Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 85 °C (TA)	Tecnología:	SRAM - Puerto doble, MoBL
Número del producto de base:	CYDMX	Formato de memoria:	La SRAM

Categoría:	Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:	No está disponible
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Paquete:	Envases
Serie:	-
DigiKey es programable:	No verificado
Interfaz de memoria:	En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:	90ns
Paquete de dispositivos del proveedor:	100-VFBGA (6x6)
Tipo de memoria:	Las sustancias
El Sr.:	Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:	128 Kbit
Voltagem - Suministro:	1.8V ~ 3.3V
Tiempo de acceso:	90 ns
Envase / estuche:	100-VFBGA
Organización de la memoria:	8K x 16
Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:	SRAM - Puerto doble, MoBL
Número del producto de base:	CYDMX
Formato de memoria:	La SRAM

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SRAM - Puerto doble, IC de memoria MoBL 128Kbit paralelo 90 ns 100-VFBGA (6x6)

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MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria con frecuencia de reloj de 200 MHz

Los circuitos integrados de memoria AT45DB321D-MU-SL954 Flash Ic Eeprom 32 Mb 8-VDFN

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